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SK海力士董事长崔泰源（Chey Tae-won）周一示意，英伟达CEO黄仁勋已条件他将该公司下一代高带宽内存芯片HBM4的供货时期提前六个月。 他在首尔举行的集团AI峰会上示意，SK海力士正在与英伟达调解处理供应瓶颈问题。SK海力士前年10月曾示意，商量在2025年下半年向客户供应这种芯片。 崔泰源示意，这一时期表比当先的方针要快，但莫得进一步证实。 有分析指出，黄仁勋条件加速委用速率，突显了市集对英伟达用于缔造东说念主工智能技能的更高容量、更节能GPU的苍劲需求，而这些GPU将包含新的HB

据SK中国音信，SK Innovation和SK ES的团结，以及子公司SK On、SK Trading International的团结本事。瞻望来岁2月1日，SK On和SK Enterm的团结也将完成。 在这次团结中，SK On也将SK Trading International改名为“SK On Trading International”，一样以CIC体制运营。

SK海力士9月26日通告已运行量产12层HBM3E，完毕了现存HBM产物中最大的36GB（千兆字节）容量，公司将在年内向客户提供这次产物。

本周四，韩国SK海力士秘书，已启动量产环球首款12层HBM3E居品，容量为36GB，这是迄今为止现存HBM的最大容量。 SK海力士宣称，12层HBM3E居品在速率、容量和褂讪性方面均达到环球最高举止。该公司操办在年内向客户提供量产居品。 受此音信影响，SK海力士股价周四在韩股市集上大涨。适度发稿，该公司股价日内涨幅已达到8.89%。 SK海力士最初齐备12层HBM量产 本年3月，SK海力士向客户托福8层HBM3E居品，创下业界首位。时隔6个月后，SK海力士再次业界首个齐备12层HBM3E芯片量

韩国电板制造商SK On周四（9月26日）默示，野机杼人以寻求培植后果，但愿在充满挑战的电动汽车阛阓中保抓竞争力。 韩国动力巨头SK Innovation旗下的电板子公司SK On在一则声明中默示，行动后果野心的一部分，该公司野心向职工残暴迥殊放假和自觉去职的选项。一份监管文献显露，完结本年6月底，该公司共有3558名职工。 SK On证据谈，“这是为了修复精简、生动的职工戎行而秉承的积极交替，以便更好地支吾箝制变化的电动汽车阛阓气象。” 该公司还称，“天然公司起劲培植后果，为可抓续增长奠定基

韩国存储器大厂SK海力士晓谕，该公司也曾见效成就出环球初次选择第六代10纳米级制程时候的16GbDDR5 DRAM。另外，SK海力士还展现了10纳米品级的超微小化存储制造时候。 SK海力士强调，跟着10纳米级DRAM时候的世代传承，微小时候的难度也随之加大。关联词，公司以得回业界最高性能招供的第五代 （1b） 时候力为基础，提升了筹算完成度，动身点冲破了时候极限。公司将在2024年内完成1c制程时候的DDR5 DRAM的量产准备，从2025岁首始供应居品，引颈半导体存储器市集发展。 SK海力士